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パッケージ : USV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN4C05JU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4C05JU
メーカーTOSHIBA
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
AEC-Q101*
Collector Current-Max (IC) 0.4 A
Collector-emitter Voltage-Max 12 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 300
IC (Q2)(Max)(A) 0.4
IC(Max)(A) 0.4
JESD-30 Code R-PDSO-G5
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 130 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V) 12
VCEO(Max)(V) 12
データシート
ピン数 5
ライフサイクル
備考
内部接続 エミッタコモン
極性 NPN + NPN
相補品形名
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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