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パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ

HN4B102J の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4B102J
メーカーTOSHIBA
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 2 A
Collector-emitter Voltage-Max 30 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 40
IC (Q2)(Max)(A) -1.8
IC(Max)(A) 2
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.75 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCEO (Q2)(Max)(V) -30
VCEO(Max)(V) 30
VCEsat-Max 0.14 V
ピン数 5
内部接続
極性 NPN + PNP
相補品形名
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN4B102Jのレビュー

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