HN4B101J(TE85L,F) Toshiba

HN4B101J(TE85L,F) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ

HN4B101J(TE85L,F) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4B101J(TE85L,F)
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 1.2 A
DC Current Gain-Min (hFE) 200
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.85 W
Sub Category BIP General Purpose Small Signals
Surface Mount YES
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN4B101J(TE85L,F)のレビュー

HN4B101J(TE85L,F) のご注文について