HN4B101J データシート

Name: HN4B101J
Brand: TOSHIBA
SKU: 180099923-0000-0000-0000

HN4B101J - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ

HN4B101J の詳細情報

型番	HN4B101J
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	バイポーラ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Collector Current-Max (IC)	1.2 A
Collector-emitter Voltage-Max	30 V
Configuration	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	125
IC (Q2)(Max)(A)	1.2
IC(Max)(A)	-1
JESD-30 Code	R-PDSO-G5
Number of Elements	2
Number of Terminals	5
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN AND PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	0.85 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VCEO (Q2)(Max)(V)	30
VCEO(Max)(V)	-30
ピン数	5
内部接続
極性	PNP + NPN
相補品形名
面実装区分	Y