パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1
型番 | HN4B04J |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | バイポーラ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
AEC-Q101* | |
Collector Current-Max (IC) | 0.5 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 30 V |
Configuration | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
DC Current Gain-Min (hFE) | 25 |
IC (Q2)(Max)(A) | 0.5 |
IC(Max)(A) | -0.5 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G5 |
JESD-609 Code | e0 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 5 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 200 MHz |
VCEO (Q2)(Max)(V) | 30 |
VCEO(Max)(V) | -30 |
データシート | |
ピン数 | 5 |
ライフサイクル | |
備考 | |
内部接続 | エミッタコモン |
極性 | PNP + NPN |
相補品形名 | |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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