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パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN4B04J の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4B04J
メーカーTOSHIBA
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
AEC-Q101*
Collector Current-Max (IC) 0.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 30 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 25
IC (Q2)(Max)(A) 0.5
IC(Max)(A) -0.5
JESD-30 Code R-PDSO-G5
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V) 30
VCEO(Max)(V) -30
データシート
ピン数 5
ライフサイクル
備考
内部接続 エミッタコモン
極性 PNP + NPN
相補品形名
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN4B04Jのレビュー

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