パッケージ : USV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1
型番 | HN4A56JU |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | バイポーラ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Collector Current-Max (IC) | 0.15 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
Configuration | COMMON BASE, 2 ELEMENTS |
DC Current Gain-Min (hFE) | 120 |
IC (Q2)(Max)(A) | -0.15 |
IC(Max)(A) | -0.15 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G5 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 5 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | PNP |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 60 MHz |
VCEO (Q2)(Max)(V) | -50 |
VCEO(Max)(V) | -50 |
ピン数 | 5 |
内部接続 | ベースコモン |
極性 | PNP + PNP |
相補品形名 | |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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