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パッケージ : USV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN4A56JU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4A56JU
メーカーTOSHIBA
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.15 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration COMMON BASE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 120
IC (Q2)(Max)(A) -0.15
IC(Max)(A) -0.15
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 60 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V) -50
VCEO(Max)(V) -50
ピン数 5
内部接続 ベースコモン
極性 PNP + PNP
相補品形名
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN4A56JUのレビュー

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