HN3G01J-GR データシート Toshiba

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HN3G01J-GR の詳細情報

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型番HN3G01J-GR
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.15 A
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 120
FET Technology JUNCTION
Feedback Cap-Max (Crss) 3 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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