HN3C51F データシート

Name: HN3C51F
Brand: TOSHIBA
SKU: 180147471-0000-0000-0000

HN3C51F - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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パッケージ : SM6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN3C51F の詳細情報

型番	HN3C51F
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	バイポーラ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
AEC-Q101*
Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max	120 V
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	200
IC (Q2)(Max)(A)	0.1
IC(Max)(A)	0.1
JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e0
Number of Elements	2
Number of Terminals	6
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	Other Transistors
Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V)	120
VCEO(Max)(V)	120
データシート
ピン数	6
ライフサイクル
備考
内部接続	独立
極性	NPN + NPN
相補品形名
面実装区分	Y