HN3C01F - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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HN3C01F
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パッケージ : SM6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN3C01F の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN3C01F
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-base Capacitance-Max 0.46 pF
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 40
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 900 MHz
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN3C01Fのレビュー

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