HN2S03T データシート Toshiba

HN2S03T - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

パッケージ : TESQ (表面実装)|ダイオード | 小信号ショットキバリアダイオード

HN2S03T の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN2S03T
メーカーTOSHIBA
カテゴリショットキー
種別ショットキダイオード
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED SWITCHING
CT/Cj (Typ.)(pF)
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type RECTIFIER DIODE
Forward Voltage-Max (VF) 0.55 V
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)
JESD-30 Code R-PDSO-F4
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 100 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Output Current-Max 0.05 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Power Dissipation-Max 0.07 W
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 25 V
Reverse Current-Max 0.5 uA
Reverse Test Voltage 20 V
Sub Category Other Diodes
Surface Mount YES
Technology SCHOTTKY
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
VFM (Max) (V)
VR (Max) (V) 20
VRRM (Max) (V)
データシート
ピン数 4
ライフサイクル
内部接続 独立
回路数 2
特長 低リーク電流 / 高速スイッチング
製品分類 小信号ショットキバリアダイオード
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN2S03Tのレビュー

HN2S03T のご注文について