HN1V01H-B データシート Toshiba

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HN1V01H-B の詳細情報

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型番HN1V01H-B
メーカーTOSHIBA
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Additional Feature CAPACITANCE MATCHED TO 2.5% FOR FOUR DEVICES
Breakdown Voltage-Min 16 V
Configuration 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
Diode Cap Tolerance 8.76 %
Diode Capacitance Ratio-Min 16.2
Diode Element Material SILICON
Diode Type VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e0
Number of Elements 4
Number of Terminals 8
Operating Temperature-Max 125 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Qualification Status Not Qualified
Quality Factor-Min 200
Rep Pk Reverse Voltage-Max 16 V
Reverse Current-Max 0.02 uA
Reverse Test Voltage 16 V
Sub Category Signal Diodes
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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