パッケージ : SM6 (表面実装)|ダイオード | スイッチングダイオード
型番 | HN1D01F |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | スイッチング・ダイオード |
種別 | スイッチングダイオード |
データシート | ![]() |
Additional Feature | ULTRA HIGH SPEED SWITCHING |
Application | GENERAL PURPOSE |
CT (Typ.) (pF) | |
Configuration | 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Type | RECTIFIER DIODE |
Forward Voltage-Max (VF) | 1.2 V |
IO (Max) (A) | 0.1 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Non-rep Pk Forward Current-Max | 2 A |
Number of Elements | 2 |
Number of Phases | 1 |
Number of Terminals | 6 |
Operating Temperature-Max | 125 Cel |
Operating Temperature-Min | -55 Cel |
Output Current-Max | 0.1 A |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 0.1 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Rep Pk Reverse Voltage-Max | 85 V |
Reverse Current-Max | 0.5 uA |
Reverse Recovery Time-Max | 0.0016 us |
Reverse Test Voltage | 80 V |
Sub Category | Other Diodes |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
VF (Max) (V) | |
VF (Typ.) (V) | |
VR (Max) (V) | 80 |
rS (Typ.) (ohm) | |
ピン数 | 6 |
内部接続 | アノードコモン |
回路数 | 4 |
製品分類 | スイッチングダイオード |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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