HN1C03FU-B(TE85LF データシート Toshiba

HN1C03FU-B(TE85LF - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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パッケージ : US6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1C03FU-B(TE85LF の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN1C03FU-B(TE85LF
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.3 A
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 200
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN1C03FU-B(TE85LFのレビュー

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