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パッケージ : US6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1C03FU-B の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN1C03FU-B
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.3 A
Collector-base Capacitance-Max 7 pF
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 30 MHz
VCEsat-Max 0.1 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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