パッケージ : US6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1
| 型番 | HN1C03FU |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | バイポーラ |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート | ![]() |
| Collector Current-Max (IC) | 0.3 A |
| Collector-base Capacitance-Max | 7 pF |
| Collector-emitter Voltage-Max | 20 V |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 200 |
| IC (Q2)(Max)(A) | 0.3 |
| IC(Max)(A) | 0.3 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 6 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 30 MHz |
| VCEO (Q2)(Max)(V) | 20 |
| VCEO(Max)(V) | 20 |
| VCEsat-Max | 0.1 V |
| ピン数 | 6 |
| 内部接続 | 独立 |
| 極性 | NPN + NPN |
| 相補品形名 | |
| 面実装区分 | Y |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
HN1C03FU - TOSHIBA の商品詳細ページです。