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パッケージ : SM6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1C03F-B の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN1C03F-B
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.3 A
Collector-base Capacitance-Max 7 pF
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 350
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 30 MHz
VCEsat-Max 0.1 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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