HN1B04FU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

パッケージ : US6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1B04FU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN1B04FU
メーカーTOSHIBA
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.15 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 120
IC (Q2)(Max)(A) 0.15
IC(Max)(A) -0.15
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 150 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V) 50
VCEO(Max)(V) -50
VCEsat-Max 0.25 V
ピン数 6
内部接続 独立
極性 PNP + NPN
相補品形名
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN1B04FUのレビュー

HN1B04FU のご注文について