HN1B04F データシート

Name: HN1B04F
Brand: TOSHIBA
SKU: 180092582-0000-0000-0000

HN1B04F - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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パッケージ : SM6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1B04F の詳細情報

型番	HN1B04F
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	バイポーラ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
AEC-Q101*
Collector Current-Max (IC)	0.15 A
Collector-emitter Voltage-Max	30 V
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	25
IC (Q2)(Max)(A)	0.5
IC(Max)(A)	-0.5
JESD-30 Code	R-PDSO-F6
JESD-609 Code	e0
Number of Elements	2
Number of Terminals	6
Operating Temperature-Max	125 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN AND PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	0.1 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	80 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V)	30
VCEO(Max)(V)	-30
VCEsat-Max	0.25 V
データシート
ピン数	6
ライフサイクル
備考
内部接続	独立
極性	PNP + NPN
相補品形名
面実装区分	Y