HN1A02F データシート

Name: HN1A02F
Brand: TOSHIBA
SKU: 180159118-0000-0000-0000

HN1A02F - TOSHIBA の商品詳細ページです。

No Image

２営業日以内に回答いたします

パッケージ : SM6 (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1A02F の詳細情報

型番	HN1A02F
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	バイポーラ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Collector Current-Max (IC)	0.8 A
Collector-emitter Voltage-Max	15 V
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	40
IC (Q2)(Max)(A)	-0.8
IC(Max)(A)	-0.8
JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e0
Number of Elements	2
Number of Terminals	6
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	Other Transistors
Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	120 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V)	-15
VCEO(Max)(V)	-15
ピン数	6
内部接続	独立
極性	PNP + PNP
相補品形名
面実装区分	Y