HN1A01FU-TE85L データシート Toshiba

HN1A01FU-TE85L - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN1A01FU-TE85L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN1A01FU-TE85L
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.15 A
Collector-base Capacitance-Max 7 pF
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 120
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type PNP
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 80 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN1A01FU-TE85Lのレビュー

HN1A01FU-TE85L のご注文について