GT8G151 データシート Toshiba

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GT8G151 の詳細情報

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型番GT8G151
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Collector-emitter Voltage-Max 400 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-emitter Voltage-Max 4 V
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 830 W
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 2200 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 2400 ns
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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