GT8G121 データシート Toshiba

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GT8G121 の詳細情報

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型番GT8G121
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW SATURATION VOLTAGE
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 8 A
Collector-emitter Voltage-Max 400 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-emitter Voltage-Max 6 V
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 2100 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 2500 ns
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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