









Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|バイポーラトランジスタ | IGBT
| 型番 | GT60M303(Q) |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | バイポーラ |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート | ![]() |
| Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 60 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 900 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| Fall Time-Max (tf) | 400 ns |
| Gate-emitter Voltage-Max | 25 V |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 170 W |
| Rise Time-Max (tr) | 600 ns |
| RoHS | 対応 |
| Sub Category | Insulated Gate BIP Transistors |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | POWER CONTROL |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Turn-off Time-Nom (toff) | 600 ns |
| Turn-on Time-Nom (ton) | 460 ns |
| コレクタ電流 | IC 60 A |
| ダイオード内蔵 | あり |
| ピン数 | 3 |
| 備考 | 非絶縁パッケージ |
| 回路数 | 2 |
| 実装区分 | リード挿入 |
| 東芝パッケージ名 | TO-3P(LH) |
| 特長 | |
| 耐圧 | VCES 900 V |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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