GT60M303(Q) データシート Toshiba

GT60M303(Q) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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GT60M303(Q)
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Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|バイポーラトランジスタ | IGBT

GT60M303(Q) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT60M303(Q)
メーカーTOSHIBA
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 60 A
Collector-emitter Voltage-Max 900 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 400 ns
Gate-emitter Voltage-Max 25 V
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 170 W
Rise Time-Max (tr) 600 ns
RoHS 対応
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 600 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 460 ns
コレクタ電流 IC 60 A
ダイオード内蔵 あり
ピン数 3
備考 非絶縁パッケージ
回路数 2
実装区分 リード挿入
東芝パッケージ名 TO-3P(LH)
特長
耐圧 VCES 900 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

GT60M303(Q)のレビュー

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