Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|バイポーラトランジスタ | IGBT
型番 | GT60M303(Q) |
---|---|
メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | バイポーラ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Case Connection | COLLECTOR |
Collector Current-Max (IC) | 60 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 900 V |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Fall Time-Max (tf) | 400 ns |
Gate-emitter Voltage-Max | 25 V |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 170 W |
Rise Time-Max (tr) | 600 ns |
RoHS | 対応 |
Sub Category | Insulated Gate BIP Transistors |
Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Nom (toff) | 600 ns |
Turn-on Time-Nom (ton) | 460 ns |
コレクタ電流 | IC 60 A |
ダイオード内蔵 | あり |
ピン数 | 3 |
備考 | 非絶縁パッケージ |
回路数 | 2 |
実装区分 | リード挿入 |
東芝パッケージ名 | TO-3P(LH) |
特長 | |
耐圧 | VCES 900 V |
会社名称 | 株式会社東芝 |
---|---|
設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
GT60M303(Q) - TOSHIBA の商品詳細ページです。