GT60M102 データシート Toshiba

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バイポーラトランジスタ | IGBT

GT60M102 の詳細情報

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  • メーカー情報
型番GT60M102
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 60 A
Collector-emitter Voltage-Max 900 V
Configuration SINGLE
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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