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バイポーラトランジスタ | IGBT

GT50JR22 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT50JR22
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 50 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 180 ns
Gate-emitter Voltage-Max 25 V
IC (Max)(A) 50
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 230 W
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 330 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 250 ns
VCES (Max)(V) 600
VCEsat-Max 2.2 V
ダイオード内蔵 あり
ピン数 3
備考 高速スイッチング / 低飽和電圧
面実装区分 N
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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