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Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|バイポーラトランジスタ | IGBT

GT50J325(Q) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT50J325(Q)
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 50 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 240 W
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

GT50J325(Q)のレビュー

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