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Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|バイポーラトランジスタ | IGBT

GT30J122(Q) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT30J122(Q)
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 30 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE
Fall Time-Max (tf) 400 ns
Gate-emitter Thr Voltage-Max 6 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 75 W
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 400 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 300 ns
VCEsat-Max 2.8 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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