GT30J121 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
GT30J121
  • GT30J121
  • GT30J121
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

バイポーラトランジスタ | IGBT

GT30J121 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT30J121
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 30 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
IC (Max)(A) 30
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 170 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 430 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 240 ns
VCES (Max)(V) 600
ダイオード内蔵 なし
ピン数 3
備考 高速スイッチング
面実装区分 N
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

GT30J121のレビュー

GT30J121 のご注文について