GT20G101 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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パッケージ : TO-220SIS

GT20G101 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT20G101
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 20 A
Collector-emitter Voltage-Max 400 V
Configuration SINGLE
Fall Time-Max (tf) 6000 ns
Gate-emitter Thr Voltage-Max 7 V
Gate-emitter Voltage-Max 25 V
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 60 W
Power Dissipation-Max (Abs) 60 W
Qualification Status Not Qualified
Rise Time-Max (tr) 500 ns
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application GENERAL PURPOSE SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 8 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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