GT10J312SM データシート Toshiba

GT10J312SM - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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バイポーラトランジスタ | ストロボフラッシュ用IGBT

GT10J312SM の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GT10J312SM
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 10 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 300 ns
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 60 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 400 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 400 ns
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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