DF3A6.8FU データシート Toshiba

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ダイオード | ESD保護用ダイオード

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DF3A6.8FU の詳細情報

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型番DF3A6.8FU
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-ダイオード
種別ESD保護用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Max 7.2 V
Breakdown Voltage-Min 6.4 V
Breakdown Voltage-Nom 6.8 V
CT (Max) (pF)
CT (Typ.) (pF) 45
Clamping Voltage-Max 16 V
Configuration COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Dynamic Impedance-Max 25 ohm
Forward Voltage-Max (VF) 0.9 V
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3
Knee Impedance-Max 30 ohm
Mfr Name ONSEMI
Mfr P/N DF3A6.8FUT1
Moisture Sensitivity Level 1
New Category Transient Suppressors
New Part Type DIODES
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 150 W
Number of Elements 2
Number of Terminals 3
Old Category Zener Diodes
Old Part Type DIODES
Operating Temperature-Max 125 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Part Objectid 1980790057
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.1 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Standard IEC-61000-4-2
Reference Voltage-Nom 6.8 V
Rep Pk Reverse Voltage-Max 5 V
Reverse Current-Max 0.5 uA
Reverse Test Voltage 5 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount YES
Technology ZENER
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40
Voltage Tol-Max 5.9 %
Working Test Current 5 mA
ダイナミック抵抗(Ω)
ピークパルス電流(A)
ピーク逆動作電圧VRWM (V)
保護ライン 2
逆方向降伏電圧VBR (Min) (V) 6.4
逆電流(μA) 0.5
静電気耐量(kV) +/-30
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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