DF2S6.8UFS データシート Toshiba

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ダイオード | ESD保護用ダイオード

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DF2S6.8UFS の詳細情報

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型番DF2S6.8UFS
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-ダイオード
種別ESD保護用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Min 5.3 V
Breakdown Voltage-Nom 6.8 V
CT (Max) (pF)
CT (Typ.) (pF) 1.6
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 5 V
Sub Category Transient Suppressors
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
ダイナミック抵抗(Ω) 0.3
ピークパルス電流(A)
ピーク逆動作電圧VRWM (V) 5
保護ライン 1
逆方向降伏電圧VBR (Min) (V) 5.3
逆電流(μA) 0.1
静電気耐量(kV) +/-8
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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