DF2S6.8S データシート Toshiba

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ダイオード | ESD保護用ダイオード

DF2S6.8S の詳細情報

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型番DF2S6.8S
メーカーTOSHIBA
種別ESD保護用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 10 ohm
JESD-30 Code R-PDSO-F2
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Voltage-Nom 6.8 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount YES
Technology ZENER
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position BOTTOM
Voltage Tol-Max 5.88 %
Working Test Current 5 mA
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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