ダイオード | ESD保護用ダイオード
型番 | DF2S5M4CT |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | その他-ダイオード |
種別 | ESD保護用ダイオード |
データシート | ![]() |
Breakdown Voltage-Max | 5.5 V |
Breakdown Voltage-Min | 3.7 V |
CT (Max) (pF) | 0.5 |
CT (Typ.) (pF) | 0.35 |
Configuration | SINGLE |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 Code | R-PBCC-N2 |
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max | 30 W |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | CHIP CARRIER Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity | UNIDIRECTIONAL |
Reference Standard | IEC-61000-4-2, 4-5 |
Rep Pk Reverse Voltage-Max | 3.6 V |
Surface Mount | YES |
Technology | AVALANCHE |
Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | BOTTOM |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
ダイナミック抵抗(Ω) | 0.3 |
ピークパルス電流(A) | 2 |
ピーク逆動作電圧VRWM (V) | 3.6 |
保護ライン | 1 |
逆方向降伏電圧VBR (Min) (V) | 3.7 |
逆電流(μA) | 0.1 |
静電気耐量(kV) | +/-20 |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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