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DF2B6M4SL,L3F
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ダイオード | ESD保護用ダイオード
DF2B6M4SL,L3F の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | DF2B6M4SL,L3F |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | ESD保護用ダイオード |
| Additional Feature | LOW CAPACITANCE |
| Breakdown Voltage-Max | 8 V |
| Breakdown Voltage-Min | 5.6 V |
| Configuration | SINGLE |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N2 |
| Non-rep Peak Rev Power Dis-Max | 30 W |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity | BIDIRECTIONAL |
| Reference Standard | IEC-61000-4-2, 4-5 |
| Rep Pk Reverse Voltage-Max | 5.5 V |
| Surface Mount | YES |
| Technology | AVALANCHE |
| Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
DF2B6M4SL,L3Fのレビュー
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