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06月18日(火) 9:00
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型番 | DF2B6.8M1ACT |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | その他-ダイオード |
種別 | ESD保護用ダイオード |
データシート | |
Breakdown Voltage-Max | 11 V |
Breakdown Voltage-Min | 6 V |
Breakdown Voltage-Nom | 6 V |
CT (Max) (pF) | 0.5 |
CT (Typ.) (pF) | 0.3 |
Clamping Voltage-Max | 12 V |
Configuration | SINGLE |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 Code | R-XBCC-N2 |
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max | 50 W |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | UNSPECIFIED |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | CHIP CARRIER Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity | BIDIRECTIONAL |
Reference Standard | IEC-61000-4-5 |
Rep Pk Reverse Voltage-Max | 5 V |
Sub Category | Transient Suppressors |
Surface Mount | YES |
Technology | AVALANCHE |
Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | BOTTOM |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
ダイナミック抵抗(Ω) | 0.8 |
ピークパルス電流(A) | |
ピーク逆動作電圧VRWM (V) | +/-5 |
保護ライン | 1 |
逆方向降伏電圧VBR (Min) (V) | 6 |
逆電流(μA) | 0.5 |
静電気耐量(kV) | +/-12 |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
DF2B6.8M1ACT - TOSHIBA の商品詳細ページです。
ダイオード | ESD保護用ダイオード