ダイオード | ESD保護用ダイオード|パッケージ : DFN10 (表面実装)
| 型番 | DF10G7M1N |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | その他-ダイオード |
| 種別 | ESD保護用ダイオード |
| データシート | ![]() |
| Breakdown Voltage-Min | 6 V |
| Breakdown Voltage-Nom | 6 V |
| CT (Max) (pF) | 0.5 |
| CT (Typ.) (pF) | 0.3 |
| Clamping Voltage-Max | 12 V |
| Configuration | COMMON ANODE, 5 ELEMENTS |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N10 |
| Number of Elements | 5 |
| Number of Terminals | 10 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity | UNIDIRECTIONAL |
| Reference Standard | IEC-61000-4-5 |
| Rep Pk Reverse Voltage-Max | 5 V |
| Sub Category | Transient Suppressors |
| Surface Mount | YES |
| Technology | AVALANCHE |
| Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| ダイナミック抵抗(Ω) | 0.9 |
| ピークパルス電流(A) | |
| ピーク逆動作電圧VRWM (V) | +/-5 |
| 保護ライン | 4 |
| 逆方向降伏電圧VBR (Min) (V) | 6 |
| 逆電流(μA) | 0.5 |
| 静電気耐量(kV) | +/-8 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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