DF10G7M1N データシート Toshiba

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ダイオード | ESD保護用ダイオード|パッケージ : DFN10 (表面実装)

DF10G7M1N の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番DF10G7M1N
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-ダイオード
種別ESD保護用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Min 6 V
Breakdown Voltage-Nom 6 V
CT (Max) (pF) 0.5
CT (Typ.) (pF) 0.3
Clamping Voltage-Max 12 V
Configuration COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-N10
Number of Elements 5
Number of Terminals 10
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Reference Standard IEC-61000-4-5
Rep Pk Reverse Voltage-Max 5 V
Sub Category Transient Suppressors
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
ダイナミック抵抗(Ω) 0.9
ピークパルス電流(A)
ピーク逆動作電圧VRWM (V) +/-5
保護ライン 4
逆方向降伏電圧VBR (Min) (V) 6
逆電流(μA) 0.5
静電気耐量(kV) +/-8
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

DF10G7M1Nのレビュー

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