3SK294TE85L データシート Toshiba

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MOSFET | 高周波MOSFET|パッケージ : SMQ (表面実装)

3SK294TE85L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番3SK294TE85L
メーカーTOSHIBA
種別高周波MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements 1
Operating Mode DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Sub Category FET General Purpose Powers
Surface Mount YES
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

3SK294TE85Lのレビュー

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