3SK127 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 高周波MOSFET|パッケージ : SMQ (表面実装)

3SK127 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番3SK127
メーカーTOSHIBA
種別高周波MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 15 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.03 pF
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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