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MOSFET,接合形FET

2SK879 の詳細情報

  • 仕様・詳細
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型番2SK879
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Configuration SINGLE
FET Technology JUNCTION
IDSS (Max)(mA) 6.5
IDSS (Min)(mA) 0.3
IG (Max)(mA) 10
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
VGDS (Max)(V) -50
|Yfs| (Min)(mS) 1.2
ピン数 3
極性 N-ch
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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