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MOSFET,接合形FET

2SK417 の詳細情報

  • 仕様・詳細
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型番2SK417
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Avalanche Energy Rating (Eas) 41 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2 A
Drain Current-Max (ID) 2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.009 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 33 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 4 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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