MOSFET,接合形FET
型番 | 2SK4033(TE16L1,NQ) |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | モジュール |
種別 | MOSFET,接合形FET |
データシート | ![]() |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 40.5 mJ |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (ID) | 5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.15 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20 A |
RoHS | 対応 |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
ゲート入力電荷 (Typ.) | Qg 15 nC |
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) |VGS|=10V 0.10 Ω |
ドレイン電流 | ID 5 A |
ドレイン・ソース間電圧 | VDSS 60 V |
ピン数 | 3 |
実装区分 | 表面実装 |
東芝パッケージ名 | New PW-Mold |
極性 | N-ch |
許容損失 | PD 20 W |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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