2SK389-GR データシート Toshiba

2SK389-GR - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET,接合形FET

2SK389-GR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK389-GR
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Configuration COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
FET Technology JUNCTION
JESD-30 Code R-PZIP-T7
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 7
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Small Signal
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position ZIG-ZAG
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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