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MOSFET,接合形FET

2SK369 の詳細情報

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型番2SK369
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Avalanche Energy Rating (Eas) 171.1 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 450 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 17 A
Drain Current-Max (ID) 3.7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.17 ohm
FET Technology JUNCTION
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 14.8 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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