2SK3475 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET,接合形FET

2SK3475 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK3475
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1 A
Drain Current-Max (ID) 1 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
ID (Max)(A) 1
ID (Max)(A)@Tc=25degC 1
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD (Max)(W) 3
PD (Max)(W)@Tc=25degC 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 3 W
Power Gain-Min (Gp) 14.9 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Sパラメータ S-parameter
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
VDSS (Max)(V)@Tc=25degC 20
ピン数 3
用途 UHF/VHF帯業務無線用(520MHz)
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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