2SK3376TK-B データシート Toshiba

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MOSFET,接合形FET

2SK3376TK-B の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK3376TK-B
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Drain Current-Max (ID) 0.00034 A
FET Technology JUNCTION
JESD-30 Code R-PDSO-F3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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