2SK302-Y データシート Toshiba

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MOSFET,接合形FET

2SK302-Y の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK302-Y
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature CASCODE MOS
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.05 pF
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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