2SK2865(TE16L1NQ) データシート

Name: 2SK2865(TE16L1NQ)
Brand: TOSHIBA
SKU: 30146926-0000-0000-0000

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MOSFET,接合形FET

2SK2865(TE16L1NQ) の詳細情報

型番	2SK2865(TE16L1NQ)
メーカー	TOSHIBA
種別	MOSFET,接合形FET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	93 mJ
Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V
Drain Current-Max (ID)	2 A
Drain-source On Resistance-Max	5 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSIP-T3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	8 A
Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

会社名称	株式会社東芝
設立	1875年7月
資本金	4,399億円
所在地	東京都港区芝浦1-1-1
URL	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/