2SK2615TE12L データシート Toshiba

2SK2615TE12L - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

MOSFET,接合形FET

2SK2615TE12L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK2615TE12L
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2 A
Drain Current-Max (ID) 2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.44 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SK2615TE12Lのレビュー

2SK2615TE12L のご注文について