2SK241-GR データシート Toshiba

2SK241-GR - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2SK241-GR
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MOSFET,接合形FET

2SK241-GR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK241-GR
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature CASCODE MOS
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.05 pF
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SK241-GRのレビュー

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